半導體激光器是幾能級？半導體激光器的優(yōu)點 快播

半導體激光器是幾能級?

3級。

半導體激光在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)輸出，輸出連續(xù)激光大于500mW，是3級。

激光器能發(fā)射激光的裝置，1954年制成了第一臺微波量子放大器，獲得了高度相干的微波束，1958年肖洛和湯斯把微波量子放大器原理推廣應用到光頻范圍，1960年梅曼制成了第一臺紅寶石激光器。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介于導體和絕緣體之間，叫做半導體。半導體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可制成自動控制用的熱敏元件(熱敏電阻);利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導體物質(zhì)中適當?shù)負饺胛⒘侩s質(zhì)測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極管、三極管等。把一塊半導體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導體和N型半導體界面兩邊載流子的擴散作用(用黑色箭頭表示)。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴散作用大于漂移作用(用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向)。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態(tài)平衡。

半導體激光器的優(yōu)點

半導體激光器由于其相對較小的尺寸和功耗，在通信和信息處理等領域中得到廣泛應用。具有瞬態(tài)響應好、開關速度快、壽命長、很小的能耗和體積、制造工藝簡單等優(yōu)點。在醫(yī)療、現(xiàn)代制造業(yè)以及化學、物理學等領域也得到了廣泛的應用。

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